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SMT貼片 LED工藝知識(shí)
發(fā)布日期：2018-09-11 作者：未知 點(diǎn)擊：1187
目前，LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于基底材料和晶圓生長(zhǎng)技術(shù)。基底材料除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石材料、硅(Si)、碳化硅(SiC)以外，氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當(dāng)前研究的焦點(diǎn)。無(wú)論是重點(diǎn)照明和整體照明的大功率芯片，還是用于裝飾照明和一些簡(jiǎn)單輔助照明的小功率芯片，技術(shù)提升的關(guān)鍵均圍繞如何研發(fā)出更高效率、更穩(wěn)定的芯片。因此，提高LED芯片的效率成為提升LED照明整體技術(shù)指標(biāo)的關(guān)鍵。
在短短數(shù)年內(nèi)，借助芯片結(jié)構(gòu)、表面粗化、多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等一系列技術(shù)的改進(jìn)，LED在發(fā)光效率出現(xiàn)重大突破，LED芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)展如圖1所示。相信隨著該技術(shù)的不斷成熟，LED量子效率將會(huì)得到進(jìn)一步的提高，LED芯片的發(fā)光效率也會(huì)隨之攀升。
薄膜芯片技術(shù)是生產(chǎn)超亮LED芯片的關(guān)鍵技術(shù)，可以減少側(cè)向的出光損失，通過(guò)底部反射面可以使得超過(guò)97%的光從正面輸出(圖2)，不僅大大提高LED發(fā)光效率，也簡(jiǎn)易透鏡的設(shè)計(jì)。
在短短數(shù)年內(nèi)，借助芯片結(jié)構(gòu)、表面粗化、多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等一系列技術(shù)的改進(jìn)，LED在發(fā)光效率出現(xiàn)重大突破，LED芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)展如圖1所示。相信隨著該技術(shù)的不斷成熟，LED量子效率將會(huì)得到進(jìn)一步的提高，LED芯片的發(fā)光效率也會(huì)隨之攀升。
薄膜芯片技術(shù)是生產(chǎn)超亮LED芯片的關(guān)鍵技術(shù)，可以減少側(cè)向的出光損失，通過(guò)底部反射面可以使得超過(guò)97%的光從正面輸出(圖2)，不僅大大提高LED發(fā)光效率，也簡(jiǎn)易透鏡的設(shè)計(jì)。
